NE-PE13F等离子去胶机主要由高频电源、电极、真空室、真空泵、控制系统等几部分组成。目前普遍采用的等离子体去胶技术工艺都是在真空室里进行的。在反应系统中通入少量的氧气，在强电场作用下，使低压氧气产生等离子体，其中活化气(或称活泼的原子态气)占有适当比例，可以迅速地使光刻胶氧化成可挥发性气体状态被机械泵抽走，从而把硅片上的光刻胶膜去除掉。在晶圆制造工艺中，等离子去胶机是通过氧原子核和光刻胶在等离子体环境中发生反应来去除光刻胶的。也常常加入N2或H2来提高去胶性能并加强对残留聚合物的去除。因而典型的去胶机气体使用的是O2/N2。光刻胶的基本成分是碳氢聚合物。氧原子很快与光刻胶反应生成挥发性的一氧化碳，二氧化碳，和水等主要生成物，被真空系统抽走，完成光刻胶的去除。
1. 性能稳定、操作简便、使用成本极低、易于维护，高性价比
2. 体积小巧，有效处理面积大，可以轻松处理8寸硅片去胶等应用
3. 采用平板气浴电极，去胶效率高，电极间距可调
4. 灵活的电极配置方案，最多可以处理2片8寸硅片
5. 对各种几何形状、表面粗糙程度各异的金属、陶瓷、玻璃、硅片、塑料等物件表面进行超清洗和表面改性。
6. 可实现电子元器件、组件及各种基板表面的等离子清洗，可有效去除连接表面的油污、残胶及氧化膜等。
高剂量离子注入光刻胶的去除
湿法或干法刻蚀前后残胶去除
MEMS中牺牲层的去除
去除化学残余物
去浮渣工艺
SU-8光刻胶去除
等离子去胶又称干法式去胶，等离子去胶的好坏直接决定了成品率的高低，等离子去胶工艺主要是半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业中。
NE-PE13F等离子去胶机产品特点：
1. 性能稳定、操作简便、使用成本极低、易于维护，高性价比
2. 体积小巧，有效处理面积大，可以轻松处理8寸硅片去胶等应用
3. 采用平板气浴电极，去胶效率高，电极间距可调
4. 灵活的电极配置方案，最多可以处理2片8寸硅片
5. 对各种几何形状、表面粗糙程度各异的金属、陶瓷、玻璃、硅片、塑料等物件表面进行超清洗和表面改性。
6. 可实现电子元器件、组件及各种基板表面的等离子清洗，可有效去除连接表面的油污、残胶及氧化膜等。
等离子去胶机常见应用：
高剂量离子注入光刻胶的去除
湿法或干法刻蚀前后残胶去除
MEMS中牺牲层的去除
去除化学残余物
去浮渣工艺
SU-8光刻胶去除
等离子去胶又称干法式去胶，等离子去胶的好坏直接决定了成品率的高低，等离子去胶工艺主要是半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业中。
| 型号 | 晶圆等离子去胶机NE-PE13F |
| 真空腔材质 | 材质6061-T6铝合金 |
| 真空腔体尺寸 | 240mm*300mm*200mm |
| 电极 | 平板气浴电极，材质6061-T6铝合金 |
| 电极尺寸 | 205mm *205mm |
| 等离子发生器频率 | 13.56MHz (可选配40KHz射频等离子源) |
| 功率 | 0-300W连续可调 |
| 气体控制 | 针式气体流量阀， 60-600ml 2路气体 |
| 真空计 | 电偶式真空计，精度：0.01mTor |
| 控制方式 | 4.3寸工业控制触摸屏控制 |
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