主要用途 主要用于集成电路、半导体元器件、光电子器件、光学器件研制和 生产。由于本机找平机构*，找平力小，使本机不仅适合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也适合易碎片如砷化钾、磷化铟等基片的曝光。 工作方式 本机采用双面对准单面曝光方式。既可以对基片的正面进行对准曝光，又可对基片的反面相对于正面对准曝光。 主要构成 主要由高精度对准工作台、双目分离视场立式显微镜、双目分离视场卧式显微镜、数字式摄像头、计算机成象记忆系统、多点光源（蝇眼）曝光头、PLC控制系统、气动系统、真空系统、直联式真空泵、二级防震工作台和附件箱等组成。

主要功能特点

1．曝光类型：正反面对准单面曝光；

2．曝光面积：160×160mm；★

3．曝光照度不均匀性：≤3%；★

4．曝光强度：≥30mw/cm²可调；★

5．紫外光束角：≤3˚；★

6．紫外光中心波长：365nm、404nm、435nm可选：

7．紫外光源寿命：≥2万小时；

8．曝光分辨率：1μm；

9．曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光；

10．显微镜扫描范围：X：±40mm Y：±30mm；★

11．对准范围：X、Y粗调±3mm，细调±0.3mm；Q粗调±15°，细调±3°；★

12．套刻精度：1μm；★

13．分离量；0～50μm可调；★

14．接触－分离漂移：≤1μm；★

15．曝光方式：密着曝光，可实现硬接触、软接触和微力接触曝光；

16．找平方式：三点式自动找平；★

17．显微系统：

1）正面对准采用双视场CCD立式显微镜，总放大倍数45X~300X（物镜放大倍数1.1X～7.5X连续变倍），双物镜可调距离11mm～100mm。扫描范围:X±40mm ，Y±35mm；

2）反面对准采用双视场CCD卧式显微镜：总放大倍数60X、120X两种（物镜放大倍数2X、4X两种）,双物镜可调距离22mm～70mm；

3）两种显微镜共用一套计算机图像处理系统；

18．掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″、6″×6″、7″×7″；★

19．基片尺寸：φ2、φ3、φ4、φ5、φ6；★

20．基片厚度：≤5 mm；

21．曝光定时：0～999.9秒可调；

22．对准方式：切斯曼对准机构。★

23．曝光头转位：气动；

24. 电源：单相AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；

25．洁净空气压力：≥0.4MPa；

26．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa；

27．尺寸： 920mm（长）×680mm（宽）×1600mm（高）；

28．重量：约180Kg。